Модуль памяти DDRAM IV 8192 Mb Samsung original (Korea) 2666Mhz PC-21300 CL17 [M378A1K43CB2-CTD] 1.2V DR

Соответствующая типу DDR4 оперативная память Samsung [M378A1K43CB2-CTD] – сверхнадежное устройство от всемирно известного производителя. Модуль, объем которого равен 8 ГБ, подойдет для комплектации рабочих станций, рассчитанных на высокий уровень производительности. Память порадует вас безупречной совместимостью с любыми высококачественными компонентами компьютера.
Оперативная память Samsung [M378A1K43CB2-CTD] использует высокую тактовую частоту: величина этого показателя составляет 2666 МГц. Пропускная способность устройства – 21300 МБ/с. Минимально возможная рабочая частота равна 1600 МГц. Модуль соответствует таймингам 19-19-19-32. Напряжение питания памяти стандартно для DDR4 – 1.2 В.
Модуль произведен с использованием наиболее распространенного текстолита – зеленого. Чипы памяти расположены с одной стороны. На чипах размещена наклейка, содержащая краткую информацию о технических характеристиках памяти.

Торговая марка: Samsung 

Тип памяти: DDR4
Форм-фактор памяти: DIMM
Регистровая память: нет
ECC-память: нет
Объем одного модуля памяти: 8 ГБ
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Быстродействие

Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: PC21300
Профили Intel XMP: нет
Поддерживаемые режимы работы: 2666 МГц, 2400 МГц, 2133 МГц, 1866 МГц, 1600 МГц
Тайминги
CAS Latency (CL): 19
RAS to CAS Delay (tRCD): 19
Row Precharge Delay (tRP): 19
Activate to Precharge Delay (tRAS): 32
Конструкция
Наличие радиатора: нет
Подсветка элементов платы: нет
Высота: 31.25 мм
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Дополнительно
Напряжение питания: 1.2 В

Характеристики, комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных или могут быть изменены производителем без отображения на сайте. Уточняйте необходимую информацию у менеджеров.